LiNbO3 ક્રિસ્ટલ
LiNbO3 (લિથિયમ નિઓબેટ) ક્રિસ્ટલ એ મલ્ટિફંક્શનલ સામગ્રી છે જે પાઇઝોઇલેક્ટ્રિક, ફેરોઇલેક્ટ્રિક, પાયરોઇલેક્ટ્રિક, નોનલાઇનર, ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિકલ, ફોટોઇલેસ્ટીક, વગેરેના ગુણધર્મોને એકીકૃત કરે છે. LiNbO3 સારી થર્મલ સ્થિરતા અને રાસાયણિક સ્થિરતા છે.
એક ખૂબ સારી રીતે લાક્ષણિકતા બિન-લાઇનર ઓપ્ટિકલ સામગ્રીમાંથી એક તરીકે, લિએનબીઓ3 વિવિધ આવર્તન રૂપાંતર કાર્યક્રમો માટે યોગ્ય છે. ઉદાહરણ તરીકે, તે વ્યાપકપણે તરંગલંબાઇ> 1 μm અને icalપ્ટિકલ પેરામેટ્રિક cસિલેટર (ઓપીઓ) ના 1064 એનએમ તેમજ અર્ધ-તબક્કા-મેચિંગ (ક્યૂપીએમ) ઉપકરણો માટે ફ્રીક્વન્સી ડબલર્સ તરીકે ઉપયોગમાં લેવાય છે. તેના મોટા EO અને AO ગુણાંકને લીધે, LiNbO3 ક્રિસ્ટલનો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે તબક્કા મોડ્યુલેટર, વેવગાઇડ સબસ્ટ્રેટ, સપાટી ધ્વનિ તરંગ વેફર અને એનડી: યાગ, એનડી: વાયએલએફ અને ટિ-સેફાયર લેસરોના ક્યૂ-સ્વિચિંગ માટે પણ થાય છે.
LiNbO3 ઇર, પીઆર, એમજી, ફે, વગેરે જેવા વિવિધ તત્વોથી ડોપ કરી શકાય છે, જે સામગ્રીને અનન્ય ગુણધર્મો આપે છે. ઉદાહરણ તરીકે, MgO ની નુકસાન થ્રેશોલ્ડ: LiNbO3 શુદ્ધ LiNbO કરતા બમણાથી વધુ છે3.
LiNbO ની તમારી અરજી માટેના શ્રેષ્ઠ ઉપાય માટે અમારો સંપર્ક કરો3 સ્ફટિકો.
વિઝોપ્ટીક ક્ષમતા - લિંબો3
Applications વિવિધ એપ્લિકેશનો માટે સમાપ્ત ઘટકોના વિવિધ કદ.
Quality સખત ગુણવત્તા નિયંત્રણ
I વિશ્વસનીય ડિલિવરી
Competitive ખૂબ જ સ્પર્ધાત્મક ભાવ
તકનીકી સપોર્ટ
વિઝોપ્ટિક ધોરણની વિશિષ્ટતાઓ* - લિએનબીઓ3
| પરિમાણ સહનશીલતા | . 0.1 મીમી |
| એન્ગલ ટોલરન્સ | ± 0.5 ° |
| ચપળતા | <λ / 8 @ 632.8 એનએમ |
| સપાટીની ગુણવત્તા | <20/10 [એસ / ડી] |
| સમાંતર | <20 " |
| લંબ | ≤ 5 ' |
| ચેમ્ફર | ≤ 0.2 મીમી @ 45 ° |
| પ્રસારિત વેવફ્રન્ટ વિકૃતિ | <λ / 4 @ 632.8 એનએમ |
| બાકોરું સાફ કરો | > 90% મધ્ય વિસ્તાર |
| કોટિંગ | એઆર કોટિંગ: આર <0.2% @ 1064 એનએમ, આર <0.5% @ 532 એનએમ |
| વિનંતી પર ખાસ જરૂરિયાતવાળા ઉત્પાદનો. | |
એમજીઓના ફાયદા: લિએનબીઓ3 LiNbO સાથે સરખામણી3
Pul સ્પંદિત એનડી: યાગ (65%) અને સીડબ્લ્યુ એનડી: યાગ (45%) માટે ઉચ્ચ આવર્તન ડબલિંગ (એસએચજી) ની કાર્યક્ષમતા.
OP ઓપીઓ, ઓપીએ, ક્યુપીએમ ડબલર્સ અને ઇન્ટિગ્રેટેડ વેવગાઇડની એપ્લિકેશનમાં ઉચ્ચ પ્રદર્શન
Phot ઘણી વધારે ફોટોરેફેક્ટિવ નુકસાન થ્રેશોલ્ડ
પ્રાથમિક કાર્યક્રમો - LiNbO3
Wave તરંગલંબાઇ માટે આવર્તન ડબલર્સ> 1 μm
• ઓપ્ટિકલ પેરામેટ્રિક ઓસિલેટર (ઓપીઓ) 1064 એનએમ પર પમ્પ કરે છે
• અર્ધ-તબક્કોથી મેળ ખાતા (ક્યૂપીએમ) ઉપકરણો
• ક્યૂ-સ્વીચો (એનડી: યાગ, એનડી: વાયએલએફ અને ટિ-સેફાયર લેસરો માટે)
Hase તબક્કો મોડ્યુલેટર, વેવગાઇડ સબસ્ટ્રેટ, સપાટી એકોસ્ટિક વેવ વેફર
શારીરિક ગુણધર્મો - LiNbO3
| રાસાયણિક સૂત્ર | LiNbO3 |
| ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચર | ત્રિકોણ |
| પોઇન્ટ જૂથ | 3મી |
| અવકાશ જૂથ | આર3સી |
| જાદુઈ સ્થિરતા | એ= 5.148 Å, સી= 13.863 Å, ઝેડ = 6 |
| ઘનતા | 4.628 ગ્રામ / સે.મી.3 |
| ગલાન્બિંદુ | 1255. સે |
| ક્યુરી તાપમાન | 1140. સે |
| મોહ સખ્તાઇ | 5 |
| થર્મલ વાહકતા | 38 ડબલ્યુ / (એમ · કે) @ 25 ° સે |
| થર્મલ વિસ્તરણ સહગુણાંકો | 2.0 × 10-6/ કે (// એ), 2.2 × 10-6/ કે (// સી) |
| હાઇગ્રોસ્કોપીસીટી | બિન-હાઇગ્રોસ્કોપિક |
Optપ્ટિકલ ગુણધર્મો - LiNbO3
| પારદર્શિતા ક્ષેત્ર ("0" ટ્રાન્સમિટન્સ સ્તર પર) |
400-5500 એનએમ | ||||
| રીફ્રેક્ટિવ સૂચકાંકો | 1300 એનએમ | 1064 એનએમ | 632.8 એનએમ | ||
|
એનઇ= 2.146 એનઓ= 2.220 |
એનઇ= 2.156 એનઓ= 2.232 |
એનઇ= 2.203 એનઓ= 2.286 |
|||
| થર્મલ optપ્ટિક ગુણાંક | ડી.એન.ઓ/ડીટી = -0.874 × 10-6/ કે @ 1.4 .m ડી.એન.ઇ/ડીટી = 39.073 × 10-6/ કે @ 1.4 .m |
||||
|
રેખીય શોષણ સહગુણાંકો |
326 એનએમ |
1064 એનએમ |
|||
| α = 2.0 / સે.મી. | . = 0.001 ~ 0.004 / સે.મી. | ||||
|
એનએલઓ ગુણાંક |
ડી33 = 34.4 વાગ્યે / વી, ડી22 = 3.07 વાગ્યે / વી, |
||||
| ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક સહગુણાંકો | γટી33= 32 વાગ્યે / વી, γએસ33= 31 વાગ્યે / વી, γટી31= 10 વાગ્યે / વી, γએસ31= 8.6 pm / વી, γટી22= 6.8 pm / વી, γએસ22= 3.4 pm / વી |
||||
| અર્ધ-તરંગ વોલ્ટેજ (ડીસી) | વિદ્યુત ક્ષેત્ર // ઝેડ, લાઇટ ⊥ z | 3.03 કે.વી. | |||
| વિદ્યુત ક્ષેત્ર // x અથવા y, પ્રકાશ // z | 4.02 કે.વી. | ||||
| નુકસાન થ્રેશોલ્ડ | 100 મેગાવોટ / સે.મી.2 @ 1064nm, 10 એનએસ | ||||
