એલબીઓ ક્રિસ્ટલ
એલબીઓ (લિબી)3ઓ5) સારા અલ્ટ્રાવાયોલેટ ટ્રાન્સમિટન્સ (210-2300 એનએમ), ઉચ્ચ લેસર નુકસાન થ્રેશોલ્ડ અને વિશાળ અસરકારક આવર્તન બમણી ગુણાંક (કેડીપી ક્રિસ્ટલના લગભગ 3 વખત) સાથેનો એક પ્રકારનો નોન-રેખીય optપ્ટિકલ ક્રિસ્ટલ છે. તેથી એલબીઓ સામાન્ય રીતે ઉચ્ચ પાવર બીજા અને ત્રીજા હાર્મોનિક લેસર લાઇટ પેદા કરવા માટે વપરાય છે, ખાસ કરીને અલ્ટ્રાવાયોલેટ લેસરો માટે.
એલબીઓમાં વિશાળ બેન્ડ ગેપ અને પારદર્શિતા ક્ષેત્ર, ઉચ્ચ બિન-રેખીય કપ્લિંગ, સારી રાસાયણિક અને યાંત્રિક ગુણધર્મો છે. આ સુવિધાઓ આ સ્ફટિકને optપ્ટિકલ પેરામેટ્રિક પ્રક્રિયાઓ (ઓપીઓ / ઓપીએ) અને નોનક્રિટિકલ ફેઝ મેચિંગ (એનસીપીએમ) માટે પણ સક્ષમ બનાવે છે.
એલબીઓ ક્રિસ્ટલ્સની તમારી એપ્લિકેશનના શ્રેષ્ઠ સમાધાન માટે અમારો સંપર્ક કરો.
વિઝોપ્ટીક ક્ષમતા - એલબીઓ
. મોટા છિદ્ર: મહત્તમ 20x20 મીમી
• વિવિધ કદ: મહત્તમ લંબાઈ 60 મીમી
• અંત રૂપરેખાંકન: ફ્લેટ, અથવા બ્રુવેસ્ટર, અથવા સ્પષ્ટ
Trans ઉચ્ચ ટ્રાન્સમિટન્સ: આર <0.1% (1064 / 532nm પર) સાથે એઆર કોટિંગ
Ing માઉન્ટિંગ: વિનંતી પર
Competitive ખૂબ જ સ્પર્ધાત્મક ભાવ
વિઝોપ્ટિક ધોરણની વિશિષ્ટતાઓ* - એલ.બી.ઓ.
| પરિમાણ સહનશીલતા | . 0.1 મીમી |
| એન્ગલ ટોલરન્સ | <± 0.25 ° |
| ચપળતા | <λ / 8 @ 632.8 એનએમ |
| સપાટીની ગુણવત્તા | <10/5 [એસ / ડી] |
| સમાંતર | <20 " |
| લંબ | ≤ 5 ' |
| ચેમ્ફર | ≤ 0.2 મીમી @ 45 ° |
| પ્રસારિત વેવફ્રન્ટ વિકૃતિ | <λ / 8 @ 632.8 એનએમ |
| બાકોરું સાફ કરો | > 90% મધ્ય વિસ્તાર |
| કોટિંગ | એઆર કોટિંગ અથવા બ્રોડ બેન્ડ એઆર કોટિંગ
આર <0.1% @ 1064 એનએમ, આર <0.1% @ 532 એનએમ, આર <0.5% @ 355 એનએમ |
| લેસર નુકસાન થ્રેશોલ્ડ | > 10 જીડબ્લ્યુ / સે.મી.2 1064nm, 10 સેન્સ, 10 હર્ટ્ઝ (ફક્ત પોલિશ્ડ) માટે > 1.0 જીડબ્લ્યુ / સે.મી.2 1064nm, 10 સેન્સ, 10 હર્ટ્ઝ (એઆર-કોટેડ) માટે > 0.5 જીડબ્લ્યુ / સે.મી.2 532 એનએમ, 10 સેન્સ, 10 હર્ટ્ઝ (એઆર-કોટેડ) માટે |
| વિનંતી પર ખાસ જરૂરિયાતવાળા ઉત્પાદનો. | |
મુખ્ય લાક્ષણિકતાઓ - એલ.બી.ઓ.
• 160 એનએમથી 2.6 µm સુધી વિસ્તૃત પારદર્શિતાની શ્રેણી
• ઉચ્ચ ઓપ્ટિકલ એકરૂપતા, સમાવેશથી મુક્ત
La પ્રમાણમાં મોટા અસરકારક એસએચજી ગુણાંક (કેડીપી કરતા ત્રણ ગણા)
Type પ્રકાર I અને પ્રકાર II ની બ્રોડ તરંગલંબાઇ શ્રેણી, બિન-નિર્ણાયક તબક્કા મેચિંગ (એનસીપીએમ)
Accept વિશાળ સ્વીકૃતિ કોણ, નાનો ચાલવા-બંધ
• ઉચ્ચ લેસર નુકસાન થ્રેશોલ્ડ
બલ્ક ડેમેજ થ્રેશોલ્ડ [1064nm, 1.3ns] ની તુલના
|
સ્ફટિકો |
Energyર્જા પ્રવાહ (જે / સે.મી.) |
પાવર ડેન્સિટી (GW / સે.મી.) |
|
કે.ટી.પી. |
6.0 |
6.6 |
|
કે.ડી.પી. |
10.9 |
8.4 |
|
બીબીઓ |
12.9 |
9.9 |
|
એલ.બી.ઓ. |
24.6 |
18.9 |
પ્રાથમિક કાર્યક્રમો - એલબીઓ
Type ક્યાં તો ટાઇપ I અથવા ટાઇપ II ફ્રીક્વન્સી ડબલિંગ (એસએચજી) અને ઉચ્ચ પીક પાવર એનડી-ડોપેડ (એનડી: વાયવીઓ 4, એનડી: યાગ, એનડી: વાયએલએફ), ટિ: સેફાયર, એલેક્ઝાન્ડ્રાઇટ અને સીઆર: લિસાએફ લેસરોનો સરવાળો આવર્તન જનરેશન (એસએફજી)
D એનડી-ડોપ્ડ લેઝર્સની ત્રીજી હાર્મોનિક જનરેશન (THG)
– 1.0-1.3 µm માટે તાપમાન-નિયંત્રણક્ષમ બિન-નિર્ણાયક તબક્કા મેચિંગ (એનસીપીએમ)
II ઓરડાના તાપમાને એનસીપીએમ પ્રકાર II એસએચજી માટે 0.8-1.1 0.m
Type પ્રકાર I અને પ્રકાર II તબક્કા મેચિંગ બંને માટે વ્યાપક રૂપે ટ્યુનેબલ ઓપીઓ / ઓપીએ
શારીરિક ગુણધર્મો - એલબીઓ
| રાસાયણિક સૂત્ર | LiB3ઓ5 |
| ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચર | ઓર્થોરhમ્બિક |
| પોઇન્ટ જૂથ | મીમી2 |
| અવકાશ જૂથ | Pna2. |
| જાદુઈ સ્થિરતા | એ= 8.46 Å, બી= 7.38 Å, સી= 5.13 Å, ઝેડ= 2 |
| ઘનતા | 2.474 ગ્રામ / સે.મી.3 |
| ગલાન્બિંદુ | 835 ° સે |
| મોહ સખ્તાઇ | 6 |
| થર્મલ વાહકતા | 3.5. 3.5 ડબલ્યુ / (એમ · કે) |
| થર્મલ વિસ્તરણ સહગુણાંકો | αx= 10.8x10-5/ કે, αવાય= -8.8x10-5/ કે, αઝેડ= 3.4x10-5/ કે |
| હાઇગ્રોસ્કોપીસીટી | સહેજ હાઇગ્રોસ્કોપિક |
Optપ્ટિકલ પ્રોપર્ટીઝ - એલબીઓ
| પારદર્શિતા ક્ષેત્ર ("0" ટ્રાન્સમિટન્સ સ્તર પર) |
155-3200 એનએમ | |||
| રીફ્રેક્ટિવ સૂચકાંકો | 1064 એનએમ | 532 એનએમ | 355 એનએમ | |
|
એનx= 1.5656 એનવાય= 1.5905 |
એનx= 1.5785 એનવાય= 1.6065 |
એનx= 1.5973 એનવાય= 1.6286 |
||
|
રેખીય શોષણ સહગુણાંકો |
350 ~ 360 એનએમ |
1064 એનએમ |
||
| α = 0.0031 / સે.મી. | . <0.00035 / સે.મી. | |||
|
એનએલઓ ગુણાંક (@ 1064 એનએમ) |
ડી31 = 1.05 ± 0.09 pm / V, ડી32 = -0.98 ± 0.09 pm / V, ડી33 = 0.05 ± 0.006 વાગ્યે / વી |
|||
