લિથિયમ નિયોબેટ ક્રિસ્ટલ એક ઉત્તમ પીઝોઇલેક્ટ્રિક સામગ્રી છેનીચેના ગુણધર્મો:ઉચ્ચ ક્યુરી તાપમાન, પીઝોઇલેક્ટ્રિક અસરનું નીચું તાપમાન ગુણાંક, ઉચ્ચ ઇલેક્ટ્રોમિકેનિકલ કપ્લીંગ ગુણાંક, ઓછું ડાઇલેક્ટ્રિક નુકશાન, સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક ગુણધર્મો, સારી પ્રક્રિયા કામગીરી, અને મોટા કદના અને ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળા ક્રિસ્ટલ તૈયાર કરવા માટે સરળ.સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતા પીઝોઇલેક્ટ્રિક ક્રિસ્ટલ ક્વાર્ટઝ સાથે સરખામણી,LNસ્ફટિકઉચ્ચ ધરાવે છેધ્વનિ વેગમાટેઉચ્ચ આવર્તન ઘટકોની તૈયારી, તેથી ઉપયોગ કરી શકાય છેબનાવવા માટેરેઝોનેટર, ટ્રાન્સડ્યુસર, વિલંબ લાઇન, ફિલ્ટર, વગેરે.. જે ના નાગરિક વિસ્તારોમાં ખૂબ જ લોકપ્રિય એપ્લિકેશન ધરાવે છેમોબાઇલ કોમ્યુનિકેશન્સ, સેટેલાઇટ કોમ્યુનિકેશન્સ, ડિજિટલ સિગ્નલ પ્રોસેસિંગ, ટીવી, રેડિયો, રડાર, રિમોટ સેન્સિંગ,અને ઇલેક્ટ્રિકના લશ્કરી વિસ્તારોપ્રતિક્રમણ, ફ્યુઝ, માર્ગદર્શન,વગેરે..

સૌથી વધુ વ્યાપકએલએન ક્રિસ્ટલનો ઉપયોગસપાટી એકોસ્ટિક વેવ ફિલ્ટર છે (SAWF).1970 ના દાયકાથી,LN માંથી બનાવેલ મિડફ્રીક્વન્સી SAWFરંગીન ટીવી સેટ, કોર્ડલેસ ફોન, ઈલેક્ટ્રોનિક રિમોટ કંટ્રોલ વગેરેમાં ક્રિસ્ટલનો વ્યાપકપણે ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. 2010માં સિલિકોન ટ્યુનર ઈન્ટિગ્રેટેડ ચિપ્સની એપ્લિકેશન સાથે, ટીવી સેટમાં આઈએફ સરફેસ વેવ ફિલ્ટર્સ મૂળભૂત રીતે બજારમાંથી પાછા ખેંચાઈ ગયા છે.S1980 ના દાયકાથી, મોબાઈલ સંચાર 2G થી 5G માં બદલાઈ ગયો છે, અને મોબાઈલ ટર્મિનલ બેકવર્ડ સુસંગતતા હોવી જોઈએ,આ લાવ્યામાંગમાં વધારોSAWF. જો ઇach ફ્રીક્વન્સી બેન્ડની જરૂર છેsબે ફિલ્ટર, દરેક ફોનકરશેસો કરતાં વધુની જરૂર છેSAWF. Mની ostse SAWF LN માંથી બનાવવામાં આવે છે orલિથિયમ ટેન્ટલite સ્ફટિકો. SAWF ઉપકરણોમાં LN ક્રિસ્ટલ વધુ લોકપ્રિય છે સાથેતાપમાન વળતરડિઝાઇન (TCSAW).

પીઝોઇલેક્ટ્રિક એપ્લિકેશન માટે, ની રચનાLNક્રિસ્ટલનો અવાજના વેગ પર ઘણો પ્રભાવ છે અને તેની વધઘટ શ્રેણીને સખત રીતે નિયંત્રિત કરવાની જરૂર છે. Bકારણ કે ક્યુરીનું તાપમાન સ્ફટિકની રચના માટે ખૂબ જ સંવેદનશીલ છે, તેથીitક્રિસ્ટલ કમ્પોઝિશનની સુસંગતતા દર્શાવવા માટે વારંવાર ઉપયોગ થાય છે.વધુમાં, ક્રિસ્ટલનું સિંગલ ડોમેન સીધી અસર કરશેતેનાપીઝોઇલેક્ટ્રિક ગુણધર્મો.Tઆથી,ચાવીટેકનp માં ઉપયોગમાં લેવાતા LN સ્ફટિકોની ical વિશિષ્ટતાઓઆઇઝોઇલેક્ટ્રિક ઉપકરણોનો સમાવેશ થાય છેeક્યુરી તાપમાન,મોનોપોલ ડોમેન્સ,અને આંતરિક છૂટાછવાયા કણો,વગેરે. સ્ફટિકમાં, તેયાંત્રિક તરંગલાંબા તરંગલંબાઇ સાથે s પ્રત્યે સંવેદનશીલ નથીજાળીની ખામીજે સ્કેલ માંતરંગલંબાઇ કરતાં ઘણી નાની. LN સ્ફટિકો જે ની જરૂરિયાત પૂરી કરે છેપીઝોઇલેક્ટ્રિકઅરજી છે"એકોસ્ટિક" કહેવાય છેગ્રેડ LNસ્ફટિક".

એકોસ્ટિક ગ્રેડની કટીંગ દિશાLNક્રિસ્ટલ સાથે સંબંધિત છેતેનાચોક્કસ એપ્લિકેશન.વાય-અક્ષ કટીંગLNક્રિસ્ટલ ઉચ્ચ ઇલેક્ટ્રોમિકેનિકલ કપ્લીંગ ગુણાંક ધરાવે છે, પરંતુઓછી છેપ્રાપ્તકર્તા તરંગના અતિશય ઉત્તેજનાને કારણે એપ્લિકેશન.<1014> કટિંગ ક્રિસ્ટલમાં બોડી વેવ ઉત્તેજના ઓછી હોય છે અને તેનો વધુ વ્યાપક ઉપયોગ થાય છે(TCSAW એ ઉદાહરણોમાંનું એક છે). ના ઓરિએન્ટેશનમાં<1014>, Y-ધરીફરે છેઘડિયાળની વિરુદ્ધ દિશામાં 127.86° એરાઉન્ડ ધ X-ધરી.આ LN સ્ફટિકો છેસામાન્ય રીતે 128°Y તરીકે ઓળખવામાં આવે છેLNસ્ફટિકવધુમાં,LNસ્ફટિકs કટીંગ એંગલ સાથે64°Y અને 41°Yછેઉચ્ચ આવર્તન ઉત્પાદનો તૈયાર કરવા માટે વધુ યોગ્ય.હાલમાં,નું કદપીઝોઇલેક્ટ્રિકએલએન ક્રિસ્ટલ6 ઇંચ સુધી પહોંચી ગયો છે.

વધુમાં, લેવિસે ની પાયરોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રભાવની જાણ કરીLN1982 માં સપાટીના એકોસ્ટિક તરંગ ઉપકરણોની તૈયારી પર ક્રિસ્ટલ, અને જાણવા મળ્યું કે પાયરોઇલેક્ટ્રિક અસરLNક્રિસ્ટલ ઇલેક્ટ્રોડ અને ક્રિસ્ટલના વિનાશ તરફ દોરી જાય છે, જેને ઉચ્ચ પ્રતિકારક મેટલ શોર્ટ-સર્કિટ ઇલેક્ટ્રોડની પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરીને દબાવી શકાય છે.1998 માં, સ્ટેન્ડિફર એટ અલ.નું પ્રકાશ શોષણ વધારવા માટે રાસાયણિક ઘટાડાની સારવારની પદ્ધતિ અપનાવીLNક્રિસ્ટલ 1000 ગણો, ફોટોલિથોગ્રાફી દરમિયાન સાંકડી અને ઝીણી રેખાઓની એક્સપોઝર ગુણવત્તામાં સુધારો કરે છે અને ક્રિસ્ટલને વધારે છે'sકરતાં વધુ દ્વારા વાહકતા1×10⁵ વખતઆ પદ્ધતિનિયંત્રણમાં રાખવુંsક્રોસ આંગળીના ઇલેક્ટ્રોડને નુકસાનsની હીટ ટ્રીટમેન્ટ પ્રક્રિયામાં પાયરોઇલેક્ટ્રિક અસરને કારણે થાય છેઆસપાટી એકોસ્ટિક તરંગ ઉપકરણો.આLNઆ પદ્ધતિથી તૈયાર કરવામાં આવતી વેફરને "કાળો LN"જેમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છેSAWF.

WISOPTIC (www.wisoptic.com) ના ઘરમાં ઉત્પાદિત ઉચ્ચ ગુણવત્તાની LN સ્ફટિકો