ફોટોરેફ્રેક્ટિવ અસર એ હોલોગ્રાફિક ઓપ્ટિકલ એપ્લિકેશનનો આધાર છે, પરંતુ તે અન્ય ઓપ્ટિકલ એપ્લિકેશન્સમાં પણ મુશ્કેલીઓ લાવે છે, તેથી લિથિયમ નિયોબેટ ક્રિસ્ટલના ફોટોરેફ્રેક્ટિવ પ્રતિકારને સુધારવા પર ખૂબ ધ્યાન આપવામાં આવ્યું છે, જેમાંથી ડોપિંગ નિયમન એ સૌથી મહત્વપૂર્ણ પદ્ધતિ છે.ફોટોરેફ્રેક્ટિવ ડોપિંગથી વિપરીત, એન્ટિ-ફોટોરેફ્રેક્ટિવ ડોપિંગ ફોટોરેફ્રેક્ટિવ સેન્ટરને ઘટાડવા માટે બિન-ચલ વેલેન્ટવાળા તત્વોનો ઉપયોગ કરે છે.1980 માં, એવું નોંધવામાં આવ્યું હતું કે ઉચ્ચ ગુણોત્તર Mg-doped LN ક્રિસ્ટલનો ફોટોરેફ્રેક્ટિવ પ્રતિકાર 2 થી વધુ તીવ્રતાના ઓર્ડરથી વધે છે, જેણે વ્યાપક ધ્યાન આકર્ષિત કર્યું હતું.1990 માં, સંશોધકોએ શોધી કાઢ્યું કે ઝીંક-ડોપેડ એલએનમાં મેગ્નેશિયમ-ડોપેડ એલએન જેવું જ ઉચ્ચ ફોટોરેફ્રેક્ટિવ પ્રતિકાર છે.કેટલાક વર્ષો પછી, સ્કેન્ડિયમ-ડોપેડ અને ઇન્ડિયમ-ડોપેડ એલએનમાં પણ ફોટોરેફ્રેક્ટિવ પ્રતિકાર હોવાનું જણાયું હતું.

2000 માં, ઝુ એટ અલ.તે ઉચ્ચ શોધ્યુંગુણોત્તર Mજી-ડોપેડLNદૃશ્યમાન બેન્ડ ha માં ઉચ્ચ ફોટોરેફ્રેક્ટિવ પ્રતિકાર સાથે ક્રિસ્ટલsયુવી બેન્ડમાં ઉત્તમ ફોટોરેફ્રેક્ટિવ પ્રદર્શન.ની સમજણ દ્વારા આ શોધ તૂટીઆનું ફોટોરેફ્રેક્ટિવ પ્રતિકારLNક્રિસ્ટલ, અને અલ્ટ્રાવાયોલેટ બેન્ડમાં લાગુ કરાયેલ ફોટોરેફ્રેક્ટિવ સામગ્રીની ખાલી જગ્યા પણ ભરી.ટૂંકી તરંગલંબાઇનો અર્થ એ છે કે હોલોગ્રાફિક ગ્રેટિંગનું કદ નાનું અને ઝીણું હોઈ શકે છે, અને ગતિશીલ રીતે ભૂંસી શકાય છે અને અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા ગ્રેટિંગમાં લખી શકાય છે, અને લાલ પ્રકાશ અને લીલા પ્રકાશ દ્વારા વાંચી શકાય છે, જેથી ગતિશીલ હોલોગ્રાફિક ઓપ્ટિક્સના ઉપયોગને સમજવામાં આવે. .લેમાર્કે એટ અલ.ઉચ્ચ અપનાવ્યુંગુણોત્તર એમજી-ડોપેડLN નાનકાઈ યુનિવર્સિટી દ્વારા યુવી ફોટોરેફ્રેક્ટિવ તરીકે આપવામાં આવેલ ક્રિસ્ટલસામગ્રીઅને દ્વિ-તરંગો સાથે જોડાયેલા પ્રકાશ એમ્પ્લીફિકેશનનો ઉપયોગ કરીને પ્રોગ્રામેબલ દ્વિ-પરિમાણીય લેસર માર્કિંગની અનુભૂતિ કરી.

પ્રારંભિક તબક્કામાં, એન્ટિ-ફોટોરેફ્રેક્ટિવ ડોપિંગ તત્વોમાં મેગ્નેશિયમ, જસત, ઈન્ડિયમ અને સ્કેન્ડિયમ જેવા દ્વિભાષી અને ત્રિસંયોજક તત્વોનો સમાવેશ થતો હતો.2009 માં, કોંગ એટ અલ.tetr નો ઉપયોગ કરીને એન્ટિ-ફોટોરેફ્રેક્ટિવ ડોપિંગ વિકસાવ્યુંaહૅફનિયમ, ઝિર્કોનિયમ અને ટીન જેવા વેલેન્ટ તત્વો.સમાન ફોટોરેફ્રેક્ટિવ પ્રતિકાર પ્રાપ્ત કરતી વખતે, દ્વિભાષી અને ત્રિસંયોજક ડોપેડ તત્વોની તુલનામાં, ટેટ્રાડવેલેન્ટ તત્વોનું ડોપિંગ પ્રમાણ ઓછું હોય છે, ઉદાહરણ તરીકે, 4.0 mol% હેફનિયમ અને 6.0 mol% મેગ્નેશિયમ ડોપેડLNસ્ફટિકોમાં s હોય છેimilarફોટોરિફ્રેક્ટિવ પ્રતિકાર,2.0 mol% ઝિર્કોનિયમ અને 6.5 mol% મેગ્નેશિયમ ડોપેડLNસ્ફટિકોમાં s હોય છેimilarફોટોરેફ્રેક્ટિવ પ્રતિકાર.તદુપરાંત, લિથિયમ નિયોબેટમાં હેફનિયમ, ઝિર્કોનિયમ અને ટીનનું વિભાજન ગુણાંક 1 ની નજીક છે, જે ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા સ્ફટિકોની તૈયારી માટે વધુ અનુકૂળ છે.

WISOPTIC દ્વારા વિકસિત ઉચ્ચ ગુણવત્તાની LN [www.wisoptic.com]