લિએનબીઓ₃ કુદરતી ખનિજ તરીકે પ્રકૃતિમાં જોવા મળતું નથી. લિથિયમ નિયોબેટ (LN) સ્ફટિકોનું સ્ફટિક માળખું સૌપ્રથમ 1928 માં ઝાકેરિયાસેન દ્વારા જાણ કરવામાં આવ્યું હતું. 1955 માં લેપિતસ્કી અને સિમાનોવે એક્સ-રે પાવડર વિવર્તન વિશ્લેષણ દ્વારા એલએન ક્રિસ્ટલની ષટ્કોણ અને ત્રિકોણ પ્રણાલીના જાળી પરિમાણો આપ્યા હતા. 1958 માં, રીઝમેન અને હોલ્ટ્ઝબર્ગે લીનું સ્યુડોએલિમેન્ટ આપ્યું₂O-Nb₂O₅ થર્મલ વિશ્લેષણ, એક્સ-રે વિવર્તન વિશ્લેષણ અને ઘનતા માપન દ્વારા.

તબક્કા રેખાકૃતિ દર્શાવે છે કે લિ₃NbO₄, LiNbO₃, LiNb₃O₈ અને લિ₂Nb₂₈O₇₁ બધા લિમાંથી રચના કરી શકાય છે₂O-Nb₂O₅. સ્ફટિકની તૈયારી અને સામગ્રીના ગુણધર્મોને લીધે, ફક્ત LiNbO₃ વ્યાપકપણે અભ્યાસ અને લાગુ કરવામાં આવ્યો છે. રાસાયણિક નામકરણના સામાન્ય નિયમ અનુસાર, લિથિયમNઆઇઓબેટ લિ હોવું જોઈએ₃NbO₄, અને LiNbO₃ લિથિયમ એમ કહેવા જોઈએetaનિઓબેટ પ્રારંભિક તબક્કામાં, LiNbO₃ ખરેખર લિથિયમ તરીકે ઓળખાતું હતું Metaniobate ક્રિસ્ટલ, પરંતુ કારણ કે સાથે LN સ્ફટિકો અન્ય ત્રણ નક્કર તબક્કાs વ્યાપકપણે અભ્યાસ કરવામાં આવ્યો નથી, હવે LiNbO₃ છે લગભગ હવે બોલાવાતું નથી Lઇથિયમ Metniobate, પરંતુ વ્યાપકપણે તરીકે ઓળખાય છે Lઇથિયમ Nઆયોબેટ

WISOPTIC.com દ્વારા વિકસિત ઉચ્ચ ગુણવત્તાની LiNbO3 (LN) ક્રિસ્ટલ

LN ક્રિસ્ટલના પ્રવાહી અને ઘન ઘટકોનો સહ-ગલનબિંદુ તેના સ્ટોઇકિયોમેટ્રિક ગુણોત્તર સાથે સુસંગત નથી. સમાન માથા અને પૂંછડીના ઘટકો સાથે ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળા સિંગલ ક્રિસ્ટલ્સને મેલ્ટ સ્ફટિકીકરણ પદ્ધતિ દ્વારા સરળતાથી ઉગાડી શકાય છે જ્યારે ઘન તબક્કા અને પ્રવાહી તબક્કાની સમાન રચના ધરાવતી સામગ્રીનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. તેથી, સારા સોલિડ-લિક્વિડ યુટેક્ટિક પોઈન્ટ મેચિંગ પ્રોપર્ટી સાથે એલએન ક્રિસ્ટલ્સનો વ્યાપકપણે ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. LN સ્ફટિકો સામાન્ય રીતે અનસ્ટેટેડ એ સમાન રચના સાથેનો સંદર્ભ આપે છે, અને લિથિયમ સામગ્રી ([Li]/[Li+Nb]) લગભગ 48.6% છે. એલએન ક્રિસ્ટલમાં મોટી સંખ્યામાં લિથિયમ આયનોની ગેરહાજરી મોટી સંખ્યામાં જાળીની ખામીઓ તરફ દોરી જાય છે, જેની બે મહત્વપૂર્ણ અસરો છે: પ્રથમ, તે એલએન ક્રિસ્ટલના ગુણધર્મોને અસર કરે છે; બીજું, જાળીની ખામીઓ એલએન ક્રિસ્ટલના ડોપિંગ એન્જિનિયરિંગ માટે એક મહત્વપૂર્ણ આધાર પૂરો પાડે છે, જે સ્ફટિક ઘટકોના નિયમન, ડોપિંગ અને ડોપ્ડ તત્વોના સંયોજકતા નિયંત્રણ દ્વારા સ્ફટિકના પ્રભાવને અસરકારક રીતે નિયંત્રિત કરી શકે છે, જે ધ્યાન આપવાનું એક મહત્વપૂર્ણ કારણ છે. એલએન ક્રિસ્ટલ.

સામાન્ય LN ક્રિસ્ટલથી અલગ, ત્યાં છે “સ્ટોઇકિયોમેટ્રિક LN ક્રિસ્ટલની નજીક” જેની [Li]/[Nb] લગભગ 1 છે. આ નજીકના સ્ટોઇકિયોમેટ્રિક LN સ્ફટિકોની ઘણી ફોટોઇલેક્ટ્રિક ગુણધર્મો સામાન્ય LN સ્ફટિકો કરતાં વધુ અગ્રણી છે, અને તે ઘણા ફોટોઇલેક્ટ્રિક ગુણધર્મોને કારણે વધુ સંવેદનશીલ છે. નજીક-સ્ટોઇકિયોમેટ્રિક ડોપિંગ, તેથી તેઓનો વ્યાપક અભ્યાસ કરવામાં આવ્યો છે. જો કે, નજીકના-સ્ટોઇકિયોમેટ્રિક એલએન ક્રિસ્ટલ ઘન અને પ્રવાહી ઘટકો સાથે યુટેક્ટિક ન હોવાથી, પરંપરાગત ઝોક્રાલસ્કી દ્વારા ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળી સિંગલ ક્રિસ્ટલ તૈયાર કરવી મુશ્કેલ છે. પદ્ધતિ તેથી વ્યવહારુ ઉપયોગ માટે ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા અને ખર્ચ-અસરકારક નજીક-સ્ટોઇકિયોમેટ્રિક LN ક્રિસ્ટલ તૈયાર કરવા માટે હજુ પણ ઘણાં કામો બાકી છે.